נובמבר 18

Qualcomm Snapdragon משיקה רשמית 835

Qualcomm Snapdragon 835 לְהַשִׁיק
Qualcomm יש רק חשף הדגל שלה SoC הדור הבא. הפלטפורמה החדשה נקראת Snapdragon 835, לא Snapdragon 830 כפי השמועה בעבר. המעבד החדש בונה על תהליך FinFET 10nm סמסונג. הוא תומך QuickCharge האחרונה 4.0 טכנולוגיית תשלום מהירה, אשר תואם תקן PD USB.

ביצועים בהשוואה לדור הקודם משתפרים 27%, צריכת החשמל היא 40% נמוך יותר, ואת השבב מכיל 30% חלקים יותר באותו מקום. QuickCharge החדש 4.0 יהיה שיעור החיוב הגבוה ביותר של 18W, עם 20% טעינה מהירה יותר לעומת QuickCharge 3.0.

לוע הארי 835 כבר נכנסו לייצור המוני באוקטובר. החל מהמחצית הראשונה של השנה הבאה, מצפה לראות סמארטפונים מצוידים SoC מהדור החדש הזה.

3 תגובות

    • Marulak Manurung על נובמבר 18, 2016 ב 8:37 ב
    • השב

    And what are the main hi-lite of this SoC?
    How is it compared with Mediatek Helio X25?

    1. לפי שעה, not much information is available but the main highlight would be the 10nm process. But I believe its overall performance and efficiency will be much better than Mediatek Helio X25 which uses 20nm technology. Wait for the launch of Helio X30 which will also be 10nm. This should be comparable to Snapdragon 835.

    • edgardo על נובמבר 19, 2016 ב 8:55 ב
    • השב

    quisiera que me regalen uno gracias

השאר תגובה